碳化硅三极管和碳化硅二极管都是基于碳化硅材料制造的半导体器件，但它们的功能和结构有很大的差异。

碳化硅二极管（SiC diode）是一种肖特基二极管，由P型碳化硅和N型碳化硅构成。它具有低导通损耗、高反向电压抗击穿能力、高温性能、快速开关速度等优点，常用于高频和高温场合，例如太阳能逆变器、电动车充电器、电源等。

碳化硅三极管（SiC transistor）是一种具有增强型N沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。与碳化硅二极管相比，碳化硅三极管能够在高电压下承受更高的电流，具有更低的导通损耗和更快的开关速度，适用于高频高压领域，例如电力转换器、电动汽车控制器、工业电源等。

虽然两种器件都基于碳化硅材料制造的，但是它们的结构和应用场合存在着很明显的差异，需要根据实际应用场景来区分选择应用。