碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一,其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例,其禁带宽度是硅材料的3倍,热导率是硅材料的3倍,电子饱和漂移速率是硅的2倍,临界击穿场强更是硅的10倍。在硅基半导体器件性能已经进入瓶颈期时,碳化硅材料的优异特性让它成为了下一代功率半导体器件的理想原材料。
随着光伏逆变器功率越来越高,碳化硅肖特基二极管的应用优势得到了各大主流光伏逆变器厂商的一致认可,光伏行业成为目前碳化硅肖特基二极管使用量最大的市场之一。
表1 基本半导体碳化硅肖特基二极管Boost方案器件选型
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