碳化硅单晶具有优异的热、电性能,在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域有着广泛的应用前景。然而,碳化硅硬度高、脆性大、化学性质稳定,传统加工方法不完全适用。受加工技术的制约,目前高表面质量碳化硅晶片的加工效率极低。
随着新能源汽车新技术、新材料的不断涌现,更具优势的第三代碳化硅(SiC)功率芯片热度正持续飙升,备受关注。
近两年来新能源汽车和新能源发电等领域快速发展,催生IGBT行业持续高景气,行业产能紧张,国内IGBT厂商借此机会加速国产替代,产生一批本土龙头大企业。本文将从GBT基本定义、新能源将是IGBT最大增量、行业竞争格局、国内核心公司分析、第三代...
如今,碳化硅“上车”已成为新能源汽车产业难以绕开的话题,而这要归功于搭载意法半导体碳化硅器件的特斯拉Model3的问世,使诸多半导体企业在碳化硅上“卷”了起来。
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