关于特斯拉决定宣布将其未来电动汽车的碳化硅使用量削减 75% 的真正原因的传言最近出现，一些消息人士称这与其碳化硅供应商意法半导体 (STM) 有很大关系，而其他一些人则将其与电动汽车巨头担心碳化硅良率低和供应能力不足。
有市场分析人士表示，STM已经推出了第二代和第三代SiC MOSFET，其尺寸比第一代更小，自然可以减少整体SiC用量，据悉特斯拉对新规格相当满意。但他们继续说，尽管 SiC 的使用有所减少，STM 并没有按比例降低其新一代 SiC MOSFET 的价格，这让特斯拉非常失望。
STM继续看到其SiC供不应求，未来几年订单清晰可见，其新一代产品减少SiC的使用可以创造更多的EV发展空间并减轻EV重量。因此，供应商找不到降低其 SiC MOSFET 价格的理由，导致与特斯拉陷入僵局。
分析人士继续表示，特斯拉主动宣布削减75%的SiC用量，主要是为了对STM“敲鞭子”，争取更好的议价地位，或在GaN、IGBT元器件和模块等其他功率器件领域激起涟漪.事实上，不少供应商已经迅速推出替代方案。例如，GaN Systems推出了800V GaN车载充电解决方案，Onsemi也发布了1200V IGBT电源解决方案。两者都声称可提供 SiC 组件的整体替代解决方案。
分析师表示，特斯拉要到 2025 年才会发布其新一代电动汽车，因此鉴于特斯拉仍有时间与其 SiC 组件供应链进行价格谈判，因此现在判断特斯拉是否会真正推进其 SiC 削减计划还为时过早。
同时，渠道市场消息人士指出，特斯拉电动汽车销量年增长目标为50%，2022年销量将达到131万辆，销量规模将越来越大，特斯拉难以承受供应不稳定的局面。成分。消息人士称，经过综合评估和估算，特斯拉发现，到2027年，SIC晶圆生长良率难以实现重大突破，这将使特斯拉未来被掐脖子的风险越来越大，促使其寻找新的解决方案。提前。
除了STM的更小尺寸SiC芯片，特斯拉还有其他替代方案，比如SiC结合GaN，或者SiC结合IGBT。市场观察人士认为，由于特斯拉希望未来将其电动汽车生产成本降低 50%，IGBT 或将成为优先选择。
观察人士表示，如果以IGBT元器件为基础，GaN的成本大约高出2-3倍，SiC的成本高出4-5倍。

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